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TIP35C Transistor BJT NPN 100V - 25A TO-247TIP35C Transistor BJT NPN 100V 25A TO 247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 125W, aun as, puede controlar dispositivos que consuman hasta 25A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacin mxima. Su juntura es NPN, con un factor de amplificacin (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 15
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TIP35C Transistor BJT NPN 100V - 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 125W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 25A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 15 y 75.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como interruptor y Amplificador de Audio.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-247
- Transistor complementario TIP36C
- Transistor equivalente a TIP35, TIP35A, TIP35B, NTE392
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): 100V
- Voltaje Colector - Base (VCB): 100V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
- Corriente Colector (IC): 25A
- Corriente Base (IB): 5A
- Potencia Máxima Disipada (PD): 125W
- Ganancia Máxima (hFE): 75
- Frecuencia de Trabajo (FT): 3 MHz
TIP35C Transistor BJT NPN 100V - 25A TO-247
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